mardi 26 avril 2011

Comparaison entre le transistor bipolaire et le MOSFET


Transistor bipolaire
Transistor MOSFET

- Accumulation de charge dans la base et le collecteur.
- Vitesse de commutation moyenne.
- Coefficient de température du courant de collecteur (IC) positive.
- Impédance d'entrée faible.
- Temps de stockage de 1÷2 µs.
- Difficulté de la mise en parallèle.
- Pertes en commutation élevée.
- coût de composant réduit.
-  commande par une source de courant.

- Pas d'effet d'accumulation de charge.

- Vitesse de commutation élevée.
- coefficient de (ID) négative.

- Fort impédance d'entrée.
- Temps de stockage nul.
- Facilité de la mise en parallèle.
- Pertes en commutation faible.
- coût de composant élevée.
- commande par une source de tension.

  

Tableau  . Comparaison entre le transistor bipolaire et le transistor MOSFET.

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