Transistor bipolaire | Transistor MOSFET |
- Accumulation de charge dans la base et le collecteur. - Vitesse de commutation moyenne. - Coefficient de température du courant de collecteur (IC) positive. - Impédance d'entrée faible. - Temps de stockage de 1÷2 µs. - Difficulté de la mise en parallèle. - Pertes en commutation élevée. - coût de composant réduit. - commande par une source de courant. | - Pas d'effet d'accumulation de charge. - Vitesse de commutation élevée. - coefficient de (ID) négative. - Fort impédance d'entrée. - Temps de stockage nul. - Facilité de la mise en parallèle. - Pertes en commutation faible. - coût de composant élevée. - commande par une source de tension. |
Tableau . Comparaison entre le transistor bipolaire et le transistor MOSFET.
merci pour la comparaison
RépondreSupprimerMerci
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